| № п/п | Наименование методики | Наименование организации, аттестовавшей методику | Дата аттестации (число, месяц, год) |
| 1. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 2. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 3. | Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 4. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 5. | Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 6. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 7. | Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 8. | Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21Тесла | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 9. | Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 10. | Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазоне | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 27.04.2010 |
| 11. | Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопии | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 12. | Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9» | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 13.12.2009 |
| 13. | Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 14. | Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям | ВНИИ Метрологической службы Росстандарта | 09.11.2009 |
| 15. | Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |
| 16. | Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках | ВНИИ Метрологической службы Росстандарта | 10.11.2009 |
| 17. | Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материалов | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 21.09.2011 |
| 18. | Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лент | ФИАН (ГОСТ Р 8.563.) | 15.02.2012 |