Методики измерений

№ п/пНаименование методикиНаименование организации, аттестовавшей методикуДата аттестации (число, месяц, год)
1.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «1,3К/16Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
2.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,03К/13Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
3.Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов с помощью измерительной установки «MPMS-XL-7»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
4.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
5.Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9 Тесла с помощью автоматизированного измерительного комплекса «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
6.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-1,2К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
7.Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле с помощью измерительной установки «0,3К/21Тл»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
8.Методика измерения в условиях высокого давления (до 3ГПа) сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 300К-0,3К в магнитном поле до 21ТеслаФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
9.Методика выполнения измерений теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
10.Методика выполнения измерений спектров отражения и пропускания в ИК-диапазонеФИАН (ГОСТ Р 8.563.)27.04.2010
11.Методика выполнения измерений сверхпроводящих щелей в электронных спектрах сверхпроводниковых материалов методом микроконтактной спектроскопииФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
12.Методика выполнения измерений полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для измерения физических свойств «PPMS-9»ФИАН (ГОСТ Р 8.563.)13.12.2009
13.Методика выполнения измерений при изготовлении стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частицФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
14.Методика измерения состава и толщины монокристаллических эпитаксиальных квантовых ямВНИИ Метрологической службы Росстандарта09.11.2009
15.Методика измерения локального элементного состава поверхности методом EDX с помощью электронного микроскопа JSM-7001FAФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012
16.Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точкахВНИИ Метрологической службы Росстандарта10.11.2009
17.Экспресс-измерения комплексной магнитной восприимчивости материаловФИАН (ГОСТ Р 8.563.)21.09.2011
18.Бесконтактные измерения критического тока ВТСП лентФИАН (ГОСТ Р 8.563.)15.02.2012