Предоставляемые услуги

Выполнение экспериментальных исследований и теоретических расчетов на комплексе оборудования ЦКП, включающего:

• Оборудование для получения низких и сверхнизких температур;
• Оборудование для получения сильных магнитных полей;
• Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью высокого гидростатического давления;
• Оборудование для воздействия на изучаемые материалы с помощью сильных электрических полей (“электрическое легирование”);
• Оборудование для проведения транспортных и магнитных измерений в экстремальных условиях сильных электрических и магнитных полей, низких температур и высоких давлений;
• Оборудование для оптических и СВЧ исследований в условиях низких температур, сильных электрических и магнитных полей и высоких давлений;
• Высокопроизводительные вычислительные комплексы и пакеты программ для численных расчетов электронных, фононных спектров и др. физических свойств материалов.

1                  Измерение двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне температур 1,5-300К в магнитном поле до 16Т с помощью измерительной установки  «16Т»

2                  Измерения двух компонент тензора сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в магнитном поле в диапазоне температур 0,3-300К в магнитном поле до 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т» 

3                  Измерения магнитной восприимчивости немагнитных образцов в диапазоне температур 1,5 - 300К и полей  до 21Т с помощью измерительной установки «0,3К/21Т»

4                  Измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур в диапазоне  температур 0,35 -400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для  измерения физических свойств «PPMS-9»

5                  Измерение анизотропии магнитосопротивления (с минимальным шагом по углу 3’) металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур в диапазоне  температур 0,3-300К в магнитном поле до 16Т  с помощью измерительной установки «16Т»

6                  Измерения теплопроводности металлических и полупроводниковых структур в диапазоне температур 1,8-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для  измерения физических свойств «PPMS-9»

7                  Измерения полевой и температурной зависимостей магнитного момента материалов в диапазоне температур 2 – 500К и магнитных полей до 7Тл  с помощью автоматизированного СКВИД-магнитометра  «MPMS-XL-7» с порогом чувствительности  10^-8 emu

8                  Измерения полевой и температурной зависимости DC намагниченности и AC восприимчивости немагнитных материалов в диапазоне температур 2 – 300К и магнитных полей до 21Т  с помощью установки VSM-21Т

9                  Измерения полевой и температурной зависимостей AC-магнитной восприимчивости материалов в диапазоне температур 0,35 – 400К и магнитных полей до 9Тл  с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для  измерения физических свойств «PPMS-9» 

10               Тестовые измерения AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом

11               Измерения теплоемкости материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для  измерения физических свойств «PPMS-9»

12               Измерение энергетическоих щелей в спектре сверхпроводников методом многократного андреевского отражения при температурах до 1,6-300К (установка BJ)

13               Измерения изменений химического потенциала в диапазоне температур 4,2 – 300К

14               Измерения параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям с помощью дифрактометра X'PertPRO  MRD

15               Анализ фазового состава образцов на дифрактометре Rigaku Miniflex 600

16               Измерения фазового состава поликристаллических образцов на дифрактометре ДРОН-2

17               Измерения локального элементного состава поверхности методом EDS с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA

18               Измерения катодолюминесценции поверхности  образцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA

19               Измерения геометрического профиля поверхности материалов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA

20               Измерения геометрического и потенциального профиля поверхности проводящих материалов методом СТМ и АФМ с помощью зондового микроскопа SolverPro

21               Измерение спектров отражения и поглощения материалов в диапазоне длин волн 0,5мкм- 1мм (c разрешением до 0,01см-1)  и в диапазоне температур 4,2-300К с помощью  инфракрасного спектрометра сверхвысокого разрешения IFS-125HR

22               Измерение температурной и полевой зависимости компонент тензора сопротивления в диапазоне температур 0,01-1К и магнитных полей до 1 Тесла

23               Измерение рельефа поверхности с субатомным разрешением и спектра поверхностных состояний в диапазоне температур 0,37 - 77К и магнитных полей до 15Тесла с помощью низкотемпературного сверхвысоковакуумного СТМ Unisoku-1300

24               Измерения магнитного момента материалов и структур в диапазоне температур 0,4-400К и в магнитных полях до 9Тесла с помощью многофункционального автоматизированного комплекса для  измерения физических свойств «PPMS-9»

25               Измерение критических токов и переходных процессов в ВТСП устройствах и проводах

26               Изготовление стандартных образцов тонких эпитаксиальных пленок YBaCuO методом лазерного напыления с фильтрацией скорости частиц

27               Изготовление полевых МДП структур на поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов. 

28               Изготовление ВТСП материалов методом твердофазного синтеза в атмосфере инертного газа

29               Рост монокристаллов ВТСП материалов, в частности, на основе FeSe