Всероссийская конференция ИСПЭ-2015

Приглашаем Вас принять участие во Всероссийской конференции

“Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника”,

которая будет проводиться в период с 27 по 28 мая 2015 года в

Физическом Институте им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Ленинский проспект, 53.

ВНИМАНИЕ! Проход на территорию ФИАН осуществляется по паспорту!

Основные направления конференции:

  • Сильноточная электроника
  • Электровзрывные процессы
  • Проекционная рентгенография
  • Электронная и фотоэмиссия
  • Взаимодействие фемтосекундных лазерных импульсов с наноантеннами,
  • Оптоэлектроника и терагерцовая электроника,
  • Полупроводниковые гетероструктуры.

Научная программа конференции

  • Приглашенные устные доклады (длительность – 20 мин).
  • Стендовые доклады (размер постера – А0).

Организационный взнос не требуется.

Председатель организационного комитета конференции - директор ФИАН академик Месяц Г.А.

Организационный комитет: Савинов С.Ю., Лебедев В.С., Баренгольц С.А., Савватимский А.И., Кривобок В.С., Кондорский А.Д.

Ответственный секретарь – Пестовский Н.В.

По вопросам участия в конференции просьба связываться с ответственным секретарем конференции, Пестовским Николаем Валерьевичем, по адресу: phse2015@yandex.ru .

 По результатам конференции будут опубликованы труды конференции.

 Крайний срок подачи заявки на участие в конференции – 18 мая 2015.

 Сроки подачи материалов для публикации в трудах конференции – до 25 мая 2015 г..

 Требования к материалам:

Материалы должны быть предоставлены в электронном виде в формате MS Word или RTF. Рисунки (в произвольном формате) должны быть размещены в тексте публикации. Размер публикации для устного доклада– до 5 страниц, для стендового доклада – до 2-х страниц. Размер шрифта – 12, интервал полуторный, шрифт – Times New Roman. Электронная версия сборника трудов конференции будет размещена на сайте конференции и будет зарегистрирована в РИНЦ.

Оформление ссылок на литературу необходимо производить по следующему образцу:

На журнальные статьи:

Einstein A., Rev. Mod. Phys., Vol. 20, N. 1, p. 35 (1948)

Эйнштейн А., УФН, Том 86, с. 371 (1965)

На книги:

Takesaki M., “Theory of Operator Algebras 1”, Springer-Verlag New York Inc. (1979)

Ландау Л.Д. и Лифшиц Е.М., «Квантовая механика (нерелятивистская теория)», 4-е издание, испр. - М.:Наука. 768 с. (1989)

 

Пример оформления тезисов устного или стендового доклада на конференции можно загрузить здесь

 

 

Программа Всероссийской конференции

«Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника»

27-28 мая 2015 г. Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, Москва.

27 мая 2015 г.

 

11:00-12:45

Сессия 1. Ведущий С. Ю. Савинов.

1.

11:00-11:15

Г.А. Месяц (ФИАН), Вступительное слово.

2.

11:15-11:45

А.И. Савватимский (ОИВТ РАН), Электрический взрыв проводников. Современное состояние исследований.

3.

11:45-12:15

С.А. Пикуз (ФИАН), Проекционная рентгенография и абсорбционная спектроскопия с использованием Х-пинча.

4.

12:15-12:45

А.А. Петров (ФИАН), Катодные процессы в отрицательном коронном разряде.

Обеденный перерыв (12:45-14:00)

 

14:00-16:00

Сессия 2. Ведущий В. С. Лебедев.

5.

14:00-14:30

А.И. Савватимский (ОИВТ РАН), Импульсный нагрев углерода.

6.

14:30-15:00

И.А. Моралёв(ОИВТ РАН), Диэлектрический барьерный разряд как инструмент для управления ламинарно-турбулентнымпереходом в пограничном слое. Влияние структуры разряда на гидродинамические возмущения.

7.

15:00-15:30

С. И. Ткаченко (МФТИ), Эволюция параметров материала трубки при пропускании субмикросекундных импульсов тока с линейной плотностью порядка 1МА/см.

8.

15:30-16:00

С.Н. Цхай (ФИАН), Измерениеэлектрических полей импульсных разрядов методами нелинейной оптики.

Перерыв (16:00-16:15)

 

16:15-17:45

Сессия 3. Ведущий С. А. Пикуз.

9.

16:15-16:45

А.Д. Кондорский (ФИАН), Взаимодействие ультракоротких лазерных импульсов с металлическим наноструктурами и наноантеннами.

10.

16:45-17:05

С. Ю. Савинов, Н.В. Пестовский (МФТИ), Сопоставление спектров и времен затухания катодо- и гамма-люминесценции.

11.

17:05-17:25

С.С. Гижа (МФТИ), Иттрий-албмоборатные стёкла, соактивированные ионами редких земель, как перспективный материал для регистрации рентгеновского излучения.

12.

17:25-17:45

М.М. Цвентух (ФИАН), Развитие модели взрывоэмиссионных ячеек катодного пятна вакуумного разряда.

 

28 мая 2015 г.

 

10:30-12:45

Сессия 4. Ведущий Е. Е. Онищенко

1.

10:30-11:00

В.С. Кривобок1, А.А. Пручкина1, Н.А. Смирнова2, А.Г. Белов2 (ФИАН1, Гиредмет2) Электронный спектр нететраэдрических акцепторов в компенсированном теллуриде кадмия.

2.

11:00-11:25

С.Н. Николаев1, М.В. Шалеев2 (ФИАН1, ИФМ РАН2) Влияние гофрировки валентной зоны на дырочную плотность состояний и спектры излучения гетероструктур на основе германия и кремния

3.

11:25-11:50

А. А. Лясота1,2, Н. Н. Сибельдин1, М. Л. Скориков1, E. Kapon2, A Rudra2 (ФИАН1, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne, Lausanne, Switzerland2) Накоплениезарядаисверхмедленнаякинетикавспектрахнизко-температурнойфотолюминесценцииквантовыхям GaAs/AlGaAs.

4.

11:50-12:15

В. В. Белых, М.В.Кочиев (ФИАН), Кинетика экситонов и биэкситонов  в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при резонансном возбуждении.

5.

12:15-12:40

Э.Т. Давлетов1, Д.Н. Лобанов2 (МФТИ1, ИФМ РАН2), Многочастичные состояния неравновесных электронно-дырочных систем на основе квантовых ям SiGe/Si.

Обеденный перерыв (12:40-14:00)

 

14:00-15:30

Сессия 5. Ведущий В. С. Кривобок

6.

14:00-14:30

А.В. Новиков (ИФМ РАН), Релаксация упругих напряжений в SiGe гетероструктурах, выращенных на различных подложках.

7.

14:30-15:00

А.Н. Яблонский (ИФМ РАН), Спектрокинетические исследования SiGe гетероструктур с квантовыми ямами и самоформирующимися наноостровками.

8.

15:00-15:30

Ю.Г. Садофьев1, А.В. Клековкин1, В.П. Мартовицкий1, В.В. Сарайкин2, И.С. Васильевский3. (ФИАН1, НИИ физических проблем им. Ф.В. Лукина2, МИФИ3), Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям.

Перерыв (15:30-15:45)

 

15:45-15:30

Сессия 6. Ведущий С. Н. Николаев

9.

15:45-16:05

Д.Е. Свиридов (ФИАН), Исследование нелегированной гетероструктуры с квантовыми ямами Al0.75Ga0.25N/Al0.95Ga0.05N методом сканирующей микроскопии сопротивления растекания тока.

10.

16:05-16:25

А.И. Шарков1, В.С.Кривобок1, А.В. Новиков2, Д.Ф. Аминев1, А.Ю. Клоков1 (ФИАН1, ИРЭ РАН2), Неравновесный теплоперенос в объемных полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах.

11.

16:25-16:45

М.П.Теленков, Ю.А. Митягин (ФИАН), Инверсия населенностей и излучательные переходы терагерцового диапазона в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям в квантующем магнитном поле

Стендовые доклады (14:00-17:45)

 

17:45-18:00

Закрытие конференции.

Стендовые доклады (28 мая 2015 г. 14:00-17:15)

С1.

А.Д. Кондорский1, К.С.Кислов2, А.А. Нариц1 (1ФИАН, 2МФТИ), Генерация высоких гармоник при взаимодействии фемтосекундных лазерных импульсов с составной наноантенной.

С2.

С.А. Савинов1, В.В. Капаев1,2, В.Н. Мурзин1, В.И. Егоркин2 (ФИАН1, МИЭТ2), Селективное детектирование и узкополосное усиление терагерцового излучения двухъямными резонансно-туннельными диодными наноструктурами.

С3.

В.И. Козловский1, В.С. Кривобок1, П.И. Кузнецов2, С.Н. Николаев1, А.А. Пручкина1, С.И. Ченцов1 (ФИАН1, ИРЭ РАН2) Экситонное излучение тонких кристаллических пленок Zn(S)Se размещенных в полости микрорезонаторов на основе аморфных диэлектрических покрытий.

С4.

М. А. Акмаев1, Т. М. Бурбаев2, Д. С. Козырев2, В. С. Кривобок2, С. Н. Николаев2 (МГУ1, ФИАН2), Экситоны и электронно-дырочная жидкость в диполярной SiGe/Si гетеросистеме с квантовыми ямами для электронов и дырок.

С5.

М.В.Белодедов1, Л.П. Ичкитидзе (НИУ МГТУ им. Баумана1, НИУ МИЭТ2) Феноменологический расчёт ВТСП-изделий силовой электроники.

С6.

Тхе Нго Винь Доан, М.П.Теленков, Ю.А. Митягин (ФИАН), Межподзонное поглощение в квантовой яме в наклонном квантующем магнитном поле.

С7.

М.А. Чернопицкий, Н.А. Смирнова (МИФИ1, Гиредмет2), Оптическая спектроскопия мелких примесных центров в нелегированных кристаллах CdZnTe.

С8.

М.П.Теленков, Ю.А. Митягин, В.В.Агафонов (ФИАН), Электрон-электронное рассеяние в системе уровней Ландау в квантовой яме.

С9.

Д.Ф. Аминев, Н.Н. Сибельдин, С.Н. Николаев (ФИАН), Гашение люминесценции квазидвумерной электронно-дырочной жидкости вызванное взаимодействием с неравновесными фононами.

С10.

С.А. Ноздрачев, Г.О. Рытиков (МГУП им. И. Фёдорова), Программный модуль для идентификации и спецификации субмикронных структур на поверхностях полимерных композитов.

С11.

Н.М. Ноздрачев, Д.М.Мельников, П.А. Прудковский (МГУП им. И. Фёдорова), Моделирование фазового перехода второго рода в модели Изинга методом Монте-Карло.

С12.

Н. В. Курочкин (МФТИ), Передача электронного возбуждения от органического слоя TPD квантовым точкам.

С13.

В.С. Седов1, А.К. Мартьянов2 (ИОФАН1, МИРЭА2), Плазмохимический синтез алмаза в СВЧ плазме в смесях Метан/Водород/Силан.

С14.

А.А. Силина, Ю.Б. Андрусов, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов (Гиредмет), Исследование процесса механической полировки подложек CdZnTe.

С15.

А.А. Силина, Ю.Б. Андрусов, Н.А. Смирнова, И.А. Денисов (Гиредмет), Легирование эпитаксиальных слоев CdHgTe сурьмой в процессе жидко фазной эпитаксии.

С16.

Б.И. Массалимов, А.В. Варлашкин (ФИАН), Путь к лазерной пучковой эпитаксии (LBE): магнитный подвес для скоростной фильтрации.

С17.

Б.И. Массалимов, А.В. Варлашкин (ФИАН), Осаждение MgO на наклонные подложки.

С18.

А.А. Родионов1,2, А.В. Агафонов1, А.В. Огинов1, К.В. Шпаков1, Многоканальная сцинтилляционная диагностика для измерения характеристик излучений протяженного атмосферного разряда.

С19.

В.В. Безотосный, М.В. Горбунков, А.Л. Коромыслов, М.С. Кривонос, Ю.А. Митягин, С.А. Савинов, В.Г. Тункин, Е.А. Чешев (ФИАН, МГУ), Генерация терагерцового излучения в нелинейном кристалле GaSe с помощью двухволнового лазера.

Размещена программа Всероссийской конференции «Импульсная сильноточная и полупроводниковая электроника» в формате PDF. Загрузить!

Сборник трудов конференции можно скачать здесь!