Выращивание гетероструктур и сверхрешеток на основе кремния, германия

Выращивание гетероструктур и сверхрешеток на основе кремния, германия и их твердых растворов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на установке "Катунь"

• Для студентов 4-6 курсов.
• Пропускная способность 4 человека в неделю.
• Развитие технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, германия и твердых растворов на их основе привело в последнее десятилетие к активизации исследовательских групп во всем мире. Это связано не только с практическим применением структур Si/Ge в полупроводниковой промышленности (транзисторы, фотоприемники и т.д.), но и с широким классом физических явлений, свойственных этой системе (нелинейное проявление оптических и электрофизических свойств с изменением содержания Ge в сплаве Si1-хGeх , эффект сворачивания зон в сверхрешетках. SimGen). Из-за достаточно большого несоответствия постоянных решеток кремния и германия появляется возможность управления зонной структурой сверхрешетки путем перераспределения напряжений сжатия и растяжения в слоях. Одним из преимуществ МЛЭ является возможность получения не только двумерных квантовых объектов, но даже одномерных и нульмерных. В процессе выполнения лабораторной работы студенты ознакомятся с основами МЛЭ кремния-германия, во время выращивания пленок методом ДБЭ смогут in situ наблюдать процессы, происходящие на поверхности подложки (сверхструктурные перестройки поверхности в зависимости от чистоты, температуры, степени заполнения и состава).
• Установка молекулярно-лучевой эпитаксии 'Катунь'
• Персональный компьютер 486DX100
• Ответственные: Н.Н. Лойко, М.М. Рзаев, Тел.: 132-66-86, e-mail: rzaev@sci.lebedev.ru, nloiko@sci.lebedev.ru