Поперечный транспорт в полупроводниковых сверхрешетках. Резонансное ту

Поперечный транспорт в полупроводниковых сверхрешетках. Резонансное туннелирование. токовые неустойчивости и домены электрического поля. Эффекты мультистабильности

• Студенты III курса.
• 4 человека в неделю.
• Работа имеет целью углубление представлений о физической природе явлений резонансного туннелирования и приобретение практического опыта электрических измерений в полупроводниковых квантово-размерных структурах. Изучение закономерностей поперечного транспорта, обусловленного некогерентным резонансным туннелированием в сверхрешетках. Ознакомление с теоретическими моделями резонансного туннелирования, возникновения токовых неустойчивостей и формирования электрических доменов, обусловленных перераспределением пространственного заряда в структуре. Экспериментальное наблюдение особенностей статических вольт-амперных характеристик (ВАХ), обусловленных дискретным перемещением доменной границы через систему квантовых ям в сверхрешетке и формированием доменов электрического поля с участием верхних подзон размерного квантования. Изучение явлений токового гистерезиса и эффектов мультистабильности.
• Автоматизированная лабораторная установка для измерения вольт-амперных (ВАХ) характеристик и производных ВАХ полупроводниковых гетероструктур. Гелиевые криостаты. Цифровые вольтамперметры ВК-34А, Щ-300, Ф-30. Строб-интегратор BCI-280. Блоки КАМАК. Персональная ЭВМ IBM PC Pentium 90.
• Процесс измерений, сбора и обработки данных автоматизирован с помощью персональной ЭВМ (IBM PC) в стандарте КАМАК .
• Руководитель Митягин Юрий Алексеевич, тел. 132-69-52, 132-67-44, E-mail: mityagin@sci.lpi.msk.su