Полупроводниковый лазер на арсениде галлия

Полупроводниковый лазер на арсениде галлия

• Целью данной работы является изучение свойств и возможностей полупроводникового лазера, наблюдение его спектра и пространственного распределения, определение порога генерации, а также знакомство с основами криогенной и вакуумной техники. В работе исследуется инжекционный гомолазер на GaAs, работающий в импульсном режиме свободной генерации при Т=77 К. Лазерный диод закреплен на хладопроводе азотного криостата, размещенного на поворотном столике со шкалой для измерения угла поворота. Питание лазера осуществляется прямоугольными импульсами тока. Импульсы напряжения формируются генератором Г5-15 и преобразуются в импульсы тока эмиттерным повторителем. Излучение лазера на длине волны 0,84 мкм выходит через окно криостата и фокусируется цилиндрической линзой на входную щель призменного монохроматора УМ-2, на выходе которого установлен фотодиод. Сигнал с фотодиода поступает на двухканальный осциллограф С1-99, на второй вход которого подается сигнал с калиброванного сопротивления 1 Ом для изучения тока лазера. При необходимости визуализации ИК-излучения полупроводникового лазера используется прибор ночного видения ПНВ-
• В 1997 году на средства УНЦ "Интеграция" был приобретен новый форвакуумный насос НВР-3Д, проведена ревизия всей вакуумной системы.
• Инжекционный гомолазер на GaAs, форвакуумный насос НВР-3Д, монохроматор УМ-2, осциллограф С1-99, прибор ночного видения ПНВ-
• Компьютеризация - отсутствует.
• Ответственные: Маврицкий О.Б., Конюхов И.Ю., Евграфова А.П.