Формирование контактов с барьером Шоттки при изготовлении приборов на

Формирование контактов с барьером Шоттки при изготовлении приборов на основе гетероструктур. Измерение вольт-амперных характеристик

• Лабораторная работа рекомендуется для студентов 4-5 курсов.
• Количество одновременно выполняющих лабораторную работу 4-6 человек в бригаде. В неделю проводится два занятия . Общее количество студентов, выполняющих лабораторную работу 8-12 человек в неделю.
• Описание физической проблемы, которой посвящена задача.
  В ходе выполнения работы проводится ознакомление с технологией формирования контактов с барьером Шоттки на гетероструктурах.
  В реальных приборах для получения барьера Шоттки поверхность полупроводника подвергается химическому травлению непосредственно перед осаждением металла. В таких условиях неизбежно образование поверхностного оксидного слоя и высота барьера определяется поверхностными состояниями. Кроме того при изготовлении приборов на основе гетероструктур арсенида галлия высота барьера определяется полупроводниковым слоем, находящимся на поверхности структуры под контактом Шоттки.
  Эпитаксиальные полупроводниковые слои GaAs, InGaAs, InAs, GaAlAs имеют различную ширину запрещенной зоны, а следовательно, и разную высоту потенциального барьера. Знание высоты потенциального барьера и технологии его изготовления обеспечивают возможность разработки приборов на основе гетероструктур арсенида галлия.
  Высота потенциального барьера определяется по вольт-амперной характеристике диодов, сформированных на гетероструктурах с разной шириной запрещенной зоны в приповерхностной области полупроводника. По вольт-амперной характеристике контактов металл-полупроводник, сформированных на тестовых структурах, имеющих омический контакт, определяется высота барьера для каждого исследуемого образца при температуре 300 К и 77 К.
• Для выполнения лабораторной работы необходимо следующее оборудование:
  прибор для наблюдения характеристик транзисторов (типа Л2-56, ПНХТ-1 или TR-4805),
  блок питания постоянного тока 0 - 10В,
  микроскоп типа МБС-9,
  столик для образцов из пенопласта, в который заливается жидкий азот, с двумя подвижными зондами,
  прибор типа В7-21,позволяющий измерять ток и напряжение или аналогичный.
• Работа проводится без применения компьютера.
• Ответственный: Шмелев Сергей Сергеевич. Тел. 530-86-65