Выращивание слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Выращивание слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии

• Студенты III курса.
• 1 человек в неделю.
• Работа посвящена получению высококачественных эпитаксиальных слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии и их тестированию на основе холловских измерений. Теоретическая часть работы заключается в проведении расчетов для определения параметров выращиваемых слоев и режимов работы молекулярных итсточников. Эта часть так же включает определение концентрации и подвижности носителей и оценку степени компенсации в слоях. Экспериментальная часть содержит измерение интенсивности молекулярных потоков, определение зависимости скорости роста от температуры источника Ga, измерение однородности слоев по толщине и выращивание слоев GaAs, легированных Si. В заключении предлагается дать оценку качества полученных образцов на основе литературных данных.
• Оборудование: Установка молекулярно-лучевой эпитаксии 'ЦНА-25' .
• Установка 'ЦНА-25' с компьютерным управлением технологическим процессом на базе песонального компьютера 486 DX 100 .
• Ответственный: И.П. Казаков, 132 66 86, e-mail: kazakov@sci.lebedev.ru.