Исследование ВАХ туннельно-резонансных диодов

Исследование ВАХ туннельно-резонансных диодов

• Лабораторная работа рекомендуется для студентов 4-5 курсов.
• Количество одновременно выполняющих лабораторную работу 4-6 человек в бригаде. В неделю проводится два занятия . Общее количество студентов, выполняющих лабораторную работу 8-12 человек в неделю.
• Описание физической проблемы, которой посвящена задача.
  Достижением современной гетероэпитаксиальной технологии является создание полупроводниковых квантово-размерных структур, позволяющих использовать волновую природу носителей заряда для получения принципиально новых классов приборов. Один из них основан на явлении резонансного туннелирования электронов через последовательно расположенные полупрозрачные потенциальные барьеры, разделенные квантовыми ямами. Вольт-амперные характеристики туннельно-резонансных приборов имеют отрицательную крутизну, что делает их перспективными для практического использования в микроэлектронике. Туннельно-резонансные диоды, изготовленные на гетероструктурах арсенида галлия, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, обладают максимальной частой генерации- сотни гигагерц. Одной из основных характеристик для СВЧ и логических элементов с N -образной вольт-амперной характеристикой (ВАХ) является отношение Imax - Imin плотности тока.
  В ходе выполнения работы студенты знакомятся с технологией изготовления туннельно-резонансных диодов (ТРС), записывают их ВАХ при температуре 300 К и 77 К и определяют Imax и Imin.
• Для выполнения лабораторной работы необходимо следующее оборудование: прибор для наблюдения характеристик транзисторов (типа Л2-56 или TR- 4805), генератор сигналов специальной формы типа Г6-15, графопостроитель типа Н307/1, держатель для образца, сосуд с азотом.
• Степень компьютеризации.
• Работа проводится без применения компьютера.
• Ответственный: Шмелев Сергей Сергеевич. Тел. 530-86-65