Определение профиля концентрации носителей заряда в гетероструктурах с

Определение профиля концентрации носителей заряда в гетероструктурах с квантовыми ямами с помощью метода вольт-фарадных характеристик

• Задача рекомендована студентам третьего курса.
• Пропускная способность задачи - десять человек в неделю.
• В работе исследуются свойства гетероструктур с квантовыми ямами на примере структуры n+AlGaAs-нелегированный GaAs, приводятся энергетические зонные диаграммы гетероструктуры с разрывами зоны проводимости и валентной зоны. Обсуждаются свойства двухмерного электронного газа в квантовой яме в GaAs на границе раздела AlGaAs-GaAs. Зависимость концентрации носителей заряда от внешнего напряжения находится при совместном решении уравнения Пуассона и уравнения Шредингера для треугольной потенциальной ямы. Получено выражение для дифференциальной емкости гетероструктуры как функции внешнего управляющего напряжения. Описывается метод определения концентрации носителей с помощью измерения вольтфарадных характеристик.
• Цифровой измеритель емкости с блоком питания, экранированный измерительный столик с зондами.
• Программа расчета профиля концентрации носителей по измеренной вольтфарадной характеристике гетероструктуры.
• Ответственный: Анфалова Елена Сергеевна т. 095 5329924