Принцип работы современного растрового электронного микроскопа и его и

Принцип работы современного растрового электронного микроскопа и его использование для исследования объектов микроэлектроники

• Год обучения : рекомендуется для студентов 4-5 курса.
• Пропускная способность: 4-5 чел. 2 раза в месяц
• Описание работы:
  Работа посвящена знакомству с закономерностями возникновения контраста и методиками исследования материалов и микроэлектронных структур в растровом электронном микроскопе.
  Растровая электронная микроскопия-это исследование объекта путем облучения тонко сфокусированным электронным пучком, который развертывается в растр по поверхности образца. В результате взаимодействия сфокусированного пучка электронов с образцом возникают отраженные электроны, вторичные электроны, рентгеновское излучение, оже-электроны и фотоны различных энергий. Они могут быть использованы для измерения многих характеристик образца, таких как топография поверхности, химический состав, электрофизические свойства и т.д. При этом малый диаметр сфокусированного электронного луча определяет высокое (порядка 10 нм ) пространственное разрешение прибора, а малая расходимость - большую глубину резкости.
  В работе рассмотрены устройство и принципы работы основных узлов растрового электронного микроскопа, методика подготовки образцов и проведения исследований. Практическая часть работы состоит в измерении геометрических размеров различных слоев и рельефа на реальной микроэлектронной структуре. При ее выполнении студенты ознакомятся с органами управления микроскопа .
• Растровый электронный микроскоп Philips SEM-515
• Сопряженный с микроскопом компьютер используется для оцифровки и дальнейшей обработки полученных изображений.
• Ответственный: Седов Сергей Викторович 532-99-65 lemi@lemi.miee.ru