Методическое обеспечение

Перечень методик, используемых ЦКП

 

 

№ п/п Наименование методики Наименование организации, аттестовавшей методику
1 Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при низких температурах до 1,3К в магнитном поле с помощью установки «Криомагнитная система 0,3К/16Тл»  ФИАН
2 Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах в магнитном поле с помощью установки «Криомагнитная система 0,03К/13Тесла»  нет
3 Методика измерений полевой и температурной зависимостей магнитного момента и магнитной воприимчивости материалов на с помощью установки «MPMS-XL-7» ФИАН
4 Методика измерения транспортных характеристик (сопротивление, магнитосопротивление, холловское сопротивление) металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах и в магнитных полях до 9Тесла с помощью автоматизированного комплекса «PPMS-9» ФИАН
5 Методика измерения второй гармоники сверхпроводящей ток-фазовой зависимости джозефсоновских гетероструктур нет
6 Методика измерения интенсивностей рентгеновских отражений на монокристальном четырехкружном дифрактометре BRUKER AXS Р-4 ИПХФ РАН
7 Методика измерения сопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при сверхнизких температурах до 0,3К в магнитном поле с помощью установки «Криомагнитная система 0,3К/16Тл»  ФИАН
8 Методика измерения анизотропии магнитосопротивления металлических и полупроводниковых образцов и наноструктур при субгелиевых температурах (до 0,3К) в магнитном поле с помощью установки «Криомагнитная система 0,3К/16Тл» нет
9 Методика измерений характеристик сверхпроводниковых  структур наноэлектроники (полоса преобразования, шумовая температура) в ГГц и ТГц диапазоне частот (на площадке МПГУ) МПГУ
10 Методика измерения теплоемкости металлических и полупроводниковых структур при субгелиевых температурах (до 0,4К) и в магнитных полях до 9Тесла с помощью автоматизированного комплекса «PPMS-9» ФИАН
11 Методика измерений  фазового состава  поликристаллических образцов рентгенодифракционным способом на дифрактометре ДРОН-2 нет
12 Методика измерений параметров решетки, толщины и состава монокристаллических эпитаксиальных квантовых ям  с помощью дифрактометра X'PertPro ФГУП ВНИИМС
13 Методика измерения мощности излучения полупроводниковых лазеров на квантовых точках  ФГУП ВНИИМС
14 Методика измерения мощности отражения и поглощения в диапазоне длин волн 1-1000мкм с помощью Фурье-спектрометра IFS-125 ФИАН
15 Методика измерения топографии поверхности и потенциального рельефа с помощью зондового микроскопа Solver P47-Pro ФИАН
16 Методика измерения теплоемкости образцов в диапазоне температур 2-500К с помощью установки PPMS-9 ФИАН
17 Методика измерения температурной зависимости магнитной воприимчивости материалов на с помощью установки СКВИД-магнитометр в диапазоне температур 2-300К и полей до 0.25Тл ФИАН
18 Методика измерения критических токов и переходных процессов в ВТСП устройствах и проводах ФИАН
19 Методика измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур  4,2-300К нет
20 Методика измерений геометрического профиля поверхности материалов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA ФИАН
21 Методика измерений катодолюминесценции поверхности  образцов с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA ФИАН
22 Методика измерений локального элементного состава поверхности методом EDS с помощью электронного микроскопа JSM-7001FA ФИАН
23 Методика измерения магнитного момента образцов в диапазоне температур 0,35-500К с помощью установки PPMS-9 ФИАН