Подложки для эпитаксии

Монокристаллы и пластины ZnSe выращенные на затравках с ориентацией <100> (слева), с ориентацией <111> (справа).
Монокристаллические пластины (100) ZnSe

Характеристики подложек для эпитаксиального роста

 ZnSeZnTeZnSe1-xSx, x≤0.15
Ориентация <111>, <001> <001> <111>, <001>
Диаметр, мм 40-50 40 40-50
Структура кубическая кубическая кубическая
Параметр решетки, ангстрем 5,6687 6,1034 -
Плотность дислокаций, см-2 5´103 – 104 104 - 5´105 <5´105
Двойники отсутсвуют отсутсвуют -
Удельное сопротивление,      Ом×см 5´10-2- 1010 1-107 108-1012