Подложки для эпитаксии
| Монокристаллы и пластины ZnSe выращенные на затравках с ориентацией <100> (слева), с ориентацией <111> (справа). |
| Монокристаллические пластины (100) ZnSe |
Характеристики подложек для эпитаксиального роста
| ZnSe | ZnTe | ZnSe1-xSx, x≤0.15 | |
|---|---|---|---|
| Ориентация | <111>, <001> | <001> | <111>, <001> |
| Диаметр, мм | 40-50 | 40 | 40-50 |
| Структура | кубическая | кубическая | кубическая |
| Параметр решетки, ангстрем | 5,6687 | 6,1034 | - |
| Плотность дислокаций, см-2 | 5´103 – 104 | 104 - 5´105 | <5´105 |
| Двойники | отсутсвуют | отсутсвуют | - |
| Удельное сопротивление, Ом×см | 5´10-2- 1010 | 1-107 | 108-1012 |