Новости
Наши новости |
Запущен “безгелиевый” криостат растворения BF-LD250 с импульсной трубой |
30.03.2011 запущена устновка для исследований при сверхнизких температурах - “безгелиевый” криостат растворения BF-LD250 с импульсной трубой. Достигнута базовая температура 10мК. Основные параметры установки BF-LD250:
|
Старший научный сотрудник ЦКП ФИАН Д.А. Князев и старший инженер Tauno Knuuttila фирмы BlueFors в процессе пуска установки BF - LD 250 |
Криостат растворения со снятыми экранами и дюаром. |
Повышение точности работы одноэлектронных “насосов” |
Туннельные переходы на основе сверхпроводящих материалов являются важными элементами многих электронных устройств. Туннельные переходы малой площади составляют основу зарядовых и потоковых кубитов, электронных насосов и одноэлектронных транзисторов. Качество тунельных переходов определяет характеристики конечных устройств. В работе [1] сравниваются вольт-амперных характеристик двух SIN переходов. В переходе с параллельной шунтирующей ёмкостью отношение R n /R sg оказалось более чем на порядок меньше, чем в аналогичном переходе без шунтирующей ёмкости, что хорошо согласуется с предложенной моделью. Прямым результатом шунтирования одноэлектронного насоса стала лучшая точность перекачки электронов, которая определяется тем, насколько плоско образующееся токовое плато. В насосах с шунтирующей ёмкостью улучшение составляет два порядка. Полученные результаты дают надежду на создание в скором времени прецизионных источников тока с выходным током около 1 нА и относительной погрешностью 10-6 . Такие значения уже приближаются к требуемым для эталона единицы тока и достаточны для замыкания квантового метрологического треугольника «Ампер-Вольт-Ом». Литература: [1] J. P. Pekola , V. F. Maisi , S. Kafanov , N. Chekurov , A. Kemppinen , Yu. A. Pashkin , O.-P. Saira , M. Möttönen , and J. S. Tsai , Environment-assisted tunneling as an origin of the Dynes density of states. Phys. Rev. Lett. 105 , 026803 (2010).
|
Термодинамическое измерение намагниченности двумерной электронной системы в слабом магнитном поле |
Вопрос об основном состоянии двумерной (2D) электронной системы в присутствии межэлектронного взаимодействия и беспорядка является одним из ключевых и пока не решенных вопросов физики конденсированного состояния. В изоляторе состояния электронов на уровне Ферми локализованы, а в металле делокализованы и при низких температурах заполняют Ферми-море с непрерывным спектром и большой плотностью состояний. Надёжные ответы на поставленный вопрос существуют только в предельных случаях (а) сильного беспорядка и пренебрежимо слабого взаимодействия (например, сильно легированные полупроводники) и (б) в пределе идеально чистой системы и сильного взаимодействия. В остальных случаях вопрос продолжает оставаться предметом дискуссий. Одна из причин этого состоит в ограниченности экспериментальной информации, так как большинство прямых методов исследований (в частности, термодинамических) неприменимы ввиду малого количества электронов (порядка 109 ). В данной работе впервые прямым термодинамическим методом выявлено присутствие локализованных электронов в металлическом состоянии 2D системы. Эти наблюдения стимулируют развитие теории низкоразмерных электронных систем. Литература:
|
Измерение энергетической щели в "железном" высокотемпературном сверхпроводнике GdFeAsO(F)
|
Открытие в 2008г. нового класса высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) на основе FeAs стимулировало интенсивные исследования этих материалов. В 2009г, в результате совместной работы коллектива ЦКП ФИАН, ИФВД РАН и хим.факультета МГУ был синтезирован сверхпроводник GdFeAsO(F), с критической температурой 53К [1]. В настоящее время ключевыми вопросами исследования ВТСП материалов на основе FeAs являются (а) механизм спаривания, (б) симметрия параметра порядка, (в) величина и анизотропия сверхпроводящих щелей D в энергетическом спектре. Наиболее полная информация о спектре электронов обычно получается в экспериментах по измерению фотоэмиссии электронов с угловым разрешением (ARPES). Однако, измерения ARPES не обеспечивают разрешение порядка долей мэВ, необходимое для выявления тонких деталей Δ. Т.о., этот параметр почти исключительно определяется в экспериментах по микроконтактной спектроскопии. Данные же микроконтактной спектроскопии на этих материалах пока скудны и противоречивы, в частности, для GdFeAsO(F) измерения щели вообще не проводились до сих пор. Недавно, сотрудники ЦКП ФИАН и физ. факультета МГУ провели измерения спектров андреевского отражения в микроконтактах сверхпроводник-нормальный металл-сверхпроводник (S- N-S), образующихся на микросколе в образце GdFeAsO0.88 F0.12 при температуре 4.2 K. Полученные данные [2] свидетельствуют о двухщелевой сверхпроводимости. Значения двух щелей составляют Δ L = (10.5 ± 2) мэВ и Δ S = (2.3 ± 0.4) мэВ. Оценка отношения 2 Δ L /kT c = 4.8 (для T c =53 K) превышает стандартное значение 3.52 в теории БКШ для однощелевого сверхпроводника в пределе слабой связи, тогда как для малой щели отношение 2 Δ S /kT c = 1.1 меньше стандартного БКШ значения. Учитывая также нормальный знак изотопического эффекта для Fe, полученные значения 2 Δ L , S /kT c указывают на то, что в данном сверхпроводнике в дырочных зонах возможно имеетcя сильная электрон-фононная связь, а значение 2 Δ S /kT c для малой щели определяется наличием межзонной связи.
Литература:
|