Список оборудования ЦКП ФИАН

№ п/п

Наименование единицы оборудования

Марка

Фирма-изготовитель,

Страна

Назначение, технические характеристики

1

Измерительная установка –автоматизированный СКВИД-магнитометр с вставкой EasyLab Mcell -10

MPMS-XL7

«Quantum Design»

EasyLab Technologies Ltd,

США

Англия

Высокоувствительные магнитные измерения ( 2   10 ^-8 emu ) в полях до 7Т, при температурах (1.9-800)К

2

Измерительный многофункциональный автоматизированный комплекс для  измерения

физических свойств.

  ( США )

PPMS-9

«Quantum Design», США

Прецизионные измерения теплоемкости, теплопроводности, магнитного момента, восприимчивости, проводимости в полях до 9 Т при температурах (1.9-400)К

3

Измерительная установка «0.3K/16Тл» для измерения магнитотранспорта и его анизотропии  в магнитном поле

«Intermagnetics»,

CTI-1400 

«Intermagnetics», Cryogenic Technology Incorporated»,

США

Прецизионные измерения магнитотранспортных и свойств в полях до 14Тл при температурах 1.5-300К

4

Измерительная установка СКВИД-магнитометр

Тип-О1,

SR 830,

LS 340,

3 x K 2000,

K2400,

DVCL-500

ФИАН ,

Stanford Research ,

SHE,

LakeShore,

Keithley,

Anest Iwata,

Япония, Россия , США

Для измерения магнитного момента слабомагнитных материалов  с порогом чувствительнгости 2 10^-9 emu в диапазоне температур 2-350К и полей 0-0,25Тл

5

Измерительная установка  «0.03К/13Тл»

0.03 К /13 Т ,

SR830,

Balzers

Linde AG,

HLT-560,

DVSL-500 ,

CLPB-160,

CMSH-100

ФИАН ,

Baltzers,

«Stanford research Systems», Linde,

Pfeiffer,

Anest Iwata,

Россия

Германия ,

США

Прецизионные измерения гальваномагнитных и термомагнитных свойств материалов в диапазоне температур 0.03-1К в полях до 13Т

6

Измерительная установка

«0.3К/21Тл» для

измерений проводимости,     магнитосопротивления и     магнитной восприимчивости  в магнитном поле 21Тл  при температурах 0,  3-300К

0.3 К / 21Т

Cryogenic,

Англия

Для измерений свойств материалов в сверхсильном магнитном поле до 21Тл в диапазоне температур 0,3-300К

7

Рентгеновский дифрактометр

X’Pert PRO MRD,

ДРОН-2.0, ДРОН-3; Двухкристальный спектрометр

X’Pert PRO MRD

«PANAlytical BV» ,

Голландия

Измерение параметров кристаллических структур и квантовых ям с излучением Cu_α

8

Комплекс рентгеновских  дифрактометров

ДРОН-2.0, ДРОН-3; Двухкристальный спектрометр

ДРОН-2.0, ДРОН-3;

НПП Буревестник С Петербург,

Россия

Определение параметров решетки с точностью (10^-5 нм), структурного совершенства кристаллов и пленок (точность определния разориентации 210-5рад), размеров микро-кристаллитов (до 100нм)

9

Инфракрасный Фурье-спектрометр высокого разрешения

IFS 125 HR

Bruker,

Германия

Измерение оптических свойств материалов в области длин волн 1мкм-1мм и в диапазоне температур 4,2-300К

10

Сканирующий зондовый микроскоп

« Solver Pro »

NT - MDT,

Россия

Для зондового анализа поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии и атомно-силовой микроскопии

11

Электронный растровый микроскоп c приставками  для измерения катодолюминесценции и элементного анализа методом EDS

JSM 7001 FA

JEOL ,

Япония

Для контроля поверхности материалов и локального картографирования

катодолюмисценции и элементного состава методом EDS

12

Измерительная установка для измерений температурной зависимости химического потенциала в диапазоне температур  4,2-300К

ChP-2

Keithely 6517,

Keithley 6430,

Keithley 2000,

SR-830

Ф ИАН ,

Keithely,

Stanford Research,

Россия ,

США

Для измерений вариаций химического потенциала с температурой в диапазоне 4,2-300К

13

Комплекс аппаратуры  для измерений транспортных свойств  материалов в диапазоне давлений  0-3ГПа, температур 0,3-300К и полей  до 21Тл

КВД 3

КВД-2

К-2000,

К-2400

NI -488

ФИАН ,

Россия

США

Для измерений транспортных свойств материалов при гидростатическом сжатии до давления 3,2ГПа, в диапазоне температур 0,3-300К и магнитных полей до 21Тл

14

Установка по измерению переходных процессов в ВТСП устройствах и измерению критических токов в длинномерных ВТСП проводах

ВТСП-1

Ф ИАН ,

National Instruments,

Россия ,

США

Измерение переходых процессов в диапазоне 50с - 0.05мс и временной зависимости параметров ВТСП устройства при резком изменении внешних условий. Измерение критического тока ВТСП провода( до 500А)

15

Установка для измерения параметров элементов наномеханики и квантовой логики при сверхнизких температурах

BF-250LD

Bluefors

Финляндия

Измерение параметров ячеек квантовой логики, наногэлектроники и нанофотоники  в диапазоне температур до 10мК, диапазоне частот до 50 ьГГц, диапазоне магнитных полей до 1Т

16

Установка для измерений AC-магнитной восприичивости материалов в диапазоне температур 4,2 – 300К в нулевом магнитном поле индуктивным методом

КДВ-2

ФИАН

Россия

Для экспресс-измерения магнитно восприимчивости   ВТСП и других сверхпроводящих материалов в диапазоне температур 300-4Л

17

Монокристальный четырехкружный дифрактометр BRUKER AXS Р-4

AXS Р-4

Bruker

Германия

Для измерения кристаллических параметрлов рештки, параметров квантовых ям и гетероструктур

18

Установка для измерения мощности излучения п/п лазеров на квантовых точках

нет

МПГУ

Россия

Для абсолютного измерения мощности излучения лазеров на квантовых точках путем прямого счета фотонов

19

Установка для измерения характеристик СП структур наноэлектроники в ГГц и ТГц диапазонах частот

нет

МПГУ

Россия

Для измерения комплексного импеданса, коэффициентов отражения и поглощения, а также КСВН в антеннах, и других сверхпроводящих элементах ГГц и ТГц диапазонов

20

Установка для выращивания стандартных образцов высокосовершенных монокристаллов методом безтигельной зонной плавки с оптическим нагревом

FZ-T-4000-H-VI-VPO-PC

«Crystal Systems Corp .»,

Япония

Для безтигельного синтеза и роста монокристаллов новых материалов при температурах до 2400С

21

Установка для изготовдения стандартных образцов тонкопленочных ВТСП материалов и гетероструктур методом импульсного лазерного

LF 117

CL 7050

PT 600 Dry

« Solar-TII », «Центр физического      приборостроения ИОФАН»,

« Oerlicon Leybold Vacuum »,

Беларусь, Япония, Россия, Германия

Для напыления тонких эпитаксиальных пленок ВТСП материалов и гетероструктур на их основе.

22

Установка для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения

EB4P3KW-TH1-3G2-SP-DC/RF

Torr,

США

Для напыления тонких металлических и диэлектрических пленок методом магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения.

23

Сдвоенные герметичные

перчаточные боксы с

шлюзами, муфельной

печью, шаровой

мельницей,

аналитическими весами

СПЕКС GB-02

"Retsch-MM 400",

"Fritsch- Pulverisette-7

“ Sartorius "

CPA225D , CE224C

СПЕКС ,

"Retsch",

“Fritsch”,

“Sartorius",

MTI Corp,

Россия

Германия,

США

Для проведения полного цикла синтеза наноматериалов в атмосфере инертного газа при температурах до 1200С

24

Установка для  подготовки образцов к измерениям  методом  ультразвуковой микросварки

4523 D

Kulicke & Soffa Industries,

США

Для приварки микроконтактов к исследуемым наноструктурам

25

Комплекс аппаратуры  для для твердофазного синтеза материалов

Linn 1150,  ПЛ 5/12,5, "Nabertherm  RT 50-250/12",

Модель 4.51750-3,

"MTI Corp -SYJ-150”

Металл-дизайн,

Linn,

Nabertherm,

"MTI Corp”,

Россия,

Германия, США

Для твердофазного синтеза поликристаллических материалов при высокой температуре

26

Комплекс аппаратуры  для изготовления полевых МДП структур

  МДП-3

ФИАН

Россия

Для очистки органических метариалов, выращивания сонокристаллов из газовой фазы, для нанесения органическиого диэлектрика, и для напыления металлического затвора и контактных площадок