Награды сотрудников
- В 2015 году доклад М. В. Кочиева «Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs» отмечен премией и дипломом за лучший доклад, представленный молодыми учеными на XII Российской конференции по физике полупроводников.
В 2012 году М. В. Кочиеву за цикл работ «Динамика неравновесных носителей заряда в наноструктурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на конкурсе молодежных научных работ ФИАН присуждена премия имени С.И. Вавилова.
- В 2011 году В. В. Белых присуждена первая премия за лучшую работу среди молодых ученых на X Российской конференции по физике полупроводников.
В 2010 году доклад М. В. Кочиева «Влияние уровня фотовозбуждения на кинетику экситонной люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на XII Всероссийской молоджной конференции по физике полупроводников и наноструктур отмечен дипломом и премией имени Е. Ф. Гросса как лучший доклад по оптике твердого тела.
- В 2009 году В. В Белых присуждена премия С.И. Вавилова за лучшую работу среди молодых ученых ФИАН.