Определение параметров полупроводниковых материалов рентгенооптическим

Определение параметров полупроводниковых материалов рентгенооптическим методом

• Студенты III-IV курса.
• Пропускная способность: 4 чел. в неделю (по 2 чел. в группе).
• Исследуется проблема взаимодействия рентгеновского излучения с оптически полированной поверхностью полупроводниковых материалов и при скользящем падении. Рассматриваются особенности диэлектрической проницаемости среды в диапазоне длин волн 0,1-0,2 нм, соответствующие преобразования формул Френеля и условия наблюдения полного эффекта внешнего отражения рентгеновских лучей. По разработанному в ОФТТ ФИАН методу измерения угловых зависимостей коэффициента отражения на двух спектральных линиях определяются плотность и состав поверхностного слоя материала, глубина проникновения излучения в условиях полного внешнего отражения и толщина слоев лулупроводниковой гетероструктуры. Объектами исследования являются полупроводники Si, Ge, GaAs и наноструктуры, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
• Двухволновой рентгеновский рефлектометр ОФТТ ФИАН, рентгеновский дифрактометр ДРОН-3, два ПК.
• Управление сбором данных и обработка результатов полностью компьютеризированы. В процессе выполнения работы используется не менее 4- х рабочих программ.
• Руководитель работы: Турьянский А.Г., т.: 132-62-68, tour@sci.lebedev.ru