Акимова И.В., 1945 г. рождения, образование высшее, в 1971 г. окончила Московский энергетический институт по специальности "Светотехника и источники света" с присвоением квалификации инженера-электрика; ученой степени и звания не имеет.  В Физическом институте им. П.Н.Лебедева РАН работает с 1968 года по 1976 год, и с 1980 года по настоящее время, с 1997 года в должности научного сотрудника.
     Акимова И.В. является квалифицированным специалистом в области квантовой электроники, участвовала в разработке, создании и исследовании полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком. С 1984 года Акимова И.В. занимается исследованием лазерных гетероструктур с помощью электронной микроскопии и рентгеноструктурного микроанализа в рамках выполнения проектов Лаборатории инжекционных лазеров.
     Акимова И.В.является соавтором 33 научных публикаций.