2015
  • Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells
    V. V. Belykh and M. V. Kochiev
    Phys. Rev. B, Volume: 92, 045307 pp., 2015 yr.
    Abstract
    Acomprehensive experimental investigation of exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells is presented. Exciton and biexciton recombination times are found to be 16 and 55 ps, respectively.Amethod of determining the dynamics of the exciton temperature is developed. It is shown that both exciton and biexciton recombination processes increase the exciton temperature by an amount as high as ∼10 K. These processes impose a new restriction on the possibility of exciton Bose-Einstein condensation and make impossible its achievement in a system of direct excitons in GaAs quantum wells even for resonantly excited exciton gas. 10.1103/PhysRevB.92.045307

  • Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Письма в ЖЭТФ, Volume: 101, Number: 3, p. 200, 2015 yr.
    Abstract
    В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы. 10.1134/S0021364015030054

2014
  • Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров
    Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков
    Письма в ЖЭТФ, Volume: 99, Number: 4, p. 207, 2014 yr.
    Abstract
    Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между лазерными подзонами (9 пс), которое превышает время безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано эффективное подавление паразитного каскадного перехода между лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра. www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30629.shtml

2012
  • Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs
    М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Письма в ЖЭТФ, Volume: 95, Number: 9, p. 544, 2012 yr.
    Abstract
    В экспериментах, выполненных при различных частотах следования пикосекундных лазерных импульсов внутриямного, надбарьерного и «двухцветного» возбуждения, исследована динамика экситонов и трионов в структурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами (КЯ). Установлено, что ключевую роль в формировании и динамике экситон-трионной системы, определяющую ее парциальный состав и кинетические свойства, играют избыточные одноименные носители заряда, накапливающиеся в КЯ при надбарьерной накачке. Из экспериментальных данных оценено время существования в КЯ избыточных носителей заряда, которое превышает 10 мкс. www.jetpletters.ac.ru/ps/1962/article_29700.shtml

  • Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами
    М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
    Известия РАН (серия физическая), Volume: 76, Number: 2, p. 247, 2012 yr.
    Abstract
    Исследовано влияние уровня фотовозбуждения на динамику люминесценции экситонов с тяжелы ми дырками в мелких туннельно изолированных квантовых ямах структуры GaAs/AlxGa1 – xAs (x = = 0.05) при температурах от 5 до 70 К. Показано, что времена жизни экситонов сильно зависят от уровня возбуждения, а энергии активации тепловой эмиссии неравновесных носителей заряда из ям практически не зависят. 10.3103/S1062873812020153

2011
  • Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation
    A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
    Journal of Physics: Conference Series, Volume: 278, Number: 1, p. 012019, 2011 yr.
    Abstract
    We assume that a coherent phonon generation was found out in structures with a single graphitized layer under picosecond laser excitation by means of the Pump/Probe method. The thermal component of the response was calculated that allowed us to define the photothermal coefficient of the graphitized layer as well as its thermal conductivity from the experimental results. The thermal-conductivity coefficient of the graphitized layer appears to grow with the thickness decrease. This makes it possible to assume that the microstructure of the graphitized layer produced during annealing depends on its thickness. iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/278/1/012019

2010
  • Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах
    М. В. Кочиев, М. Х. Нгуен, В. А. Цветков
    Научно-технические ведомости СПбГПУ, серия «Физико-математические науки, Volume: 3, Number: 104, 58 pp., 2010 yr.
МЕНЮ САЙТА