Measuring Equipment
МАГНИТНЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ
1. Автоматизированный СКВИД-магнитометр MPMS-XL7 (Quantum Design)
Quantum Design Website
|
2. Автоматизированный комплекс PPMS-9 (Quantum Design) для измерения физических свойств
Quantum Design Website
|
3. СКВИД-магнитометр для измерений в малых полях
|
4. Сквид-магнитометр MPMS 5XL "Quantum Design" (на площадке ИПХФ)
Магнитометр предназначен для исследований магнитных свойств образцов малого размера. DC измерения с точностью 10-7 emu в поле до 5 Тл, AC измерения – набор дискретных частот 1- 1000 Гц с амплитудой до 10 Э.
ИЗМЕРЕНИЯ ТРАНСПОРТА И МАГНИТОТРАНСПОРТА
1. Криомагнитная система Intermagnetics 165NS40H
Измерения проводимости в диапазоне температур 1.3-300 К, полей до 14 Т, с возможностью пошагового вращения образца (или камеры давления с образцом) в одной или двух плоскостях с минимальным шагом 3 мин.
2. Криомагнитная система с рефрижератором растворения и магнитом на 13Т
Позволяет проводить измерения в диапазоне температур 0.02-300 К и магнитных полей до 13 Т
- транспорта и магнитотранспорта,Контроль и стабилизация температуры осуществляются в диапазоне 0.02-1 К. Образец находится в сверхтекучей D-фазе смеси He3-He4 в камере растворения, что способствует теплообмену и улучшает контроль температуры электронного газа. Большой возможный диаметр образца (22 мм) и наличие большого количества вводов в камеру растоворения позволяют адаптировать установку под различные задачи: проводить измерения с образцом в камере давления, электрометрические измерения, вводить ВЧ и оптические сигналы.
– на переменном и постоянном токе,
- емкости на переменном и постоянном токе,
- электрохимического потенциала образцов c затвором (электрометрическим способом).
3. Криомагнитная система на 16 Т (в стадии изготовления)
Предназначена для измерения проводимости на постоянном и переменном токе (0.01-10 кГц) в диапазоне температур 0.3-300 К, полей до 16 Т. Максимальный диаметр образца 23 мм.
4. Криомагнитные системы-дублеры с полем 8 Т
Системы являются экономичными (по потреблению Не) и служат для измерений в небольших магнитных полях при температурах 1.3-300 К, а также для отладки измерений.
5. Стенды для испытания сверхпроводящих материаллов и криомагнитных систем
|
6. Универсальные измерительные стенды
- Автоматизированные системы для векторных измерений транспорта на переменном токе, и на постоянном токе, на базе:
- цифровых двухканальных синхронных детекторов Stanford Research SR830;
- цифрового двухканального синхронного детектора Signal Recovery 7220;
- цифровых системных мультиметров Keithely-2000.
- Электрометрические измерения на базе:
- электрометров Keithley 6517A (с источником) и Keihtley 6514.- Измерение и контроль температуры:
- с помощью RuO- и Ge- термометров сопротивления и прецизионных мостов переменного тока Picowatt AVS-47 с оптоизолирующим интерфейсом IEEE-488.
- c помощью термопар Cu(Fe)-Cu и цифровых мультиметров Keithley-2000 и источников-измерителей Keithley-2400.- Измерение и контроль магнитного поля:
- с помощью низкотемпературных GaAs-датчиков Холла и источников/измерителей Keithley-2400.
Все измерительные системы связаны по шине IEEE-488 с оптоизолированным интерфейсом с управляющими компьютерами с картой Ni-488.2.
7. Автоматизированная установка для измерения температурной зависимости электрического сопротивления малых кристаллов 4-х контактным методом в интервале температур 4,2-300 К на постоянном токе (на площадке ИПХФ)
Пределы измерения сопротивления органических проводников от 0,002 Ом до 1 МОм. Скорость охлаждения (нагрева) образца ~ 1 К/мин. Особенности установки - малый расход жидкого гелия (9,5 литров в месяц). Измерение электрического напряжения на образце и термопаре проводится с помощью нановольтметра Keithley-181.
ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИМПЕДАНСА В ДИАПАЗОНЕ ВЧ И СВЧ
Отделение ЦКП на площадке ИФТТ
- Прецизионные измерения действительной и мнимой частей поверхностного импеданса в см- и мм- диапазонах длин волн в диапазоне температур 0,4 - 250 K.
- Прецизионные измерения динамической восприимчивости в диапазоне частот от 100 Гц до 2 МГц, электропроводности, магнитосопротивления, коэффициента Холла в интервале температур 0,3 - 300 К и в магнитных полях до 18 Т.
- Измерения тангенса угла потерь, поверхностного сопротивления и диэлектрической проницаемости в диапазоне 30 - 40 ГГц.
АППАРАТУРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ
1. Автоматизированный гидравлический пресс для нагружения камер давления c электрическими тензодачиками усилия.
2. Низкотемпературные немагнитные камеры гидростатического давления
- Сферические камеры диаметром 14 мм, 23 мм, с фиксированным давлением до 2.5 ГПа для транспортных и оптических измерений. Электровводы – 10 проводов. Оптоволокно – 1 ввод.
- Цилиндрические камеры диаметром 18, 23, и 29 мм с фиксированным давлением до 3.3 ГПа. Электровводы - 10 проводов. Оптоволокно – 2 ввода для измерений в видимом и инфракрасном диапазоне. Сапфировые вводы – для измерений в диапазоне длин волн 140 нм - 7 мм.
РЕНТГЕНОДИФРАКЦИОННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ
Установки и их основные параметры
Дифрактометры ДРОН–2.0, ДРОН–3.0 и двухкристальный спектрометр ДТС–1. Все установки настроены на работу с медным излучением (l=1.54056 Å) с мощностью до 2 кВт каждая
Виды измерений и исследуемые объекты.Цель исследований и получаемые результаты.
- Рентгенодифракционные исследования монокристаллов и пленок ВТСП материалов. Фазовый анализ шихты и выросших из нее монокристаллов. Определение параметров средней решетки и модулированной сверхрешетки в монокристаллах Bi2+xSr2-xCuO6+d и Bi2Sr2-xLaxCuO6+d. Определение тетрагональных искажений решетки эпитаксиальных пленок при росте на различных подложках и их влияния на Тс.
- Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и квантовых ям полупроводниковых материалов, выросших на разориентированных подложках.
- Измерения кривых качания для оценки структурного совершенства эпитаксиальных слоев и ям.
1) Ренгенодифракционные исследования ВТСП материалов. Установление взаимосвязи между структурными и сверхпроводящими свойствами в совершенных монокристаллах ВТСП материалов. Сравнительное исследование тщательно подобранных пар кристаллов с одной и той же концентрацией носителей, но с различными дефектными конфигурациями позволяет разделять вклады в механизм спаривания от электрон–фононного взаимодействия и кулоновского взаимодействия между дефектами в «резервуаре заряда» и порожденными этими дефектами дырками в слоях CuO2.
2) Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и квантовых ям полупроводниковых материалов. В таких структурах, рассогласованных по параметру решетки из-за различных значений модуля Юнга в направлениях [100] и [111], наблюдается помимо тетрагональной деформации решеток слоев и ям еще и моноклинная деформация их решеток, которую можно не только наблюдать, но и использовать для анализа тонких слоистых неоднородностей слоев и квантовых ям.
Дифрактометр рентгеновский ДРОН-2.0
Монокристальный автоматический четырехкружный дифрактометр Bruker AXS P4 (на площадке ИПХФ).
Дифрактометр предназначен для исследования кристаллических структур соединений в интервале температур 130 К – 300 К.
Дифрактометр PANalytical X'Pert PRO.
С возможностями работы и первыми результатами можно ознакомиться здесь.
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И СВЧ ХАРАКТЕРИСТИК
Измерительный комплекс с низким уровнем шумов (на площадке ИРЭ) для определения электрофизических и СВЧ характеристик полученных образцов и функциональных устройств на их основе |
|
|
|
|
|
ЛОВ-генератор суб-мм диапазона | |
|
|
Один из криогенных держателей образцов и подвода зондирующего сигнала | Бокс изнутри с азотным дьюаром и измерителями с аккумуляторным питанием |
Прототип криогенного приемника электромагнитных колебаний (на площадке ИРЭ)
Полностью автономная система, состоящая из квазиоптической вакуумированной системы с детектором излучения, охлаждаемым криоохладителем замкнутого цикла AIM S-200. (AEG Infrarot Module, Германия) Задание управляющих сигналов (Cryoton Ltd. Германия) , контроль вольт-амперных характеристик и отклика осуществляется через laptop.